Тонкие дефекты кристаллической решетки подразделяют на: дефекты Шоттки, к которым относятся незанятые пустые узлы - вакансии в кристаллической решетке (иногда называемые «дырками») и дефекты Френкеля, к которым относят смещение атомов, молекул и ионов из узлов в пространство между узлами и задержка их в промежуточных положениях - интерстициях. Если сместившаяся частица окажется на значительном расстоянии от узла, то дефект Френкеля превратится в дефект Шоттки. Тонкие дефекты структуры приводят к перемещениям («странствованию») ионов в кристаллах, что обусловливает их аномально высокую электропроводность.

Примеси, находящиеся в кристаллах, могут включаться в структуру кристаллической решетки. Если радиусы ионов примесей больше или меньше радиусов основных ионов, образующих решетку, то в местах включения примесей решетка будет искажена - раздвинута или сжата и эти искажения захватят не только непосредственно прилежащие ряды, но распространяются на 5-10 рядов ячеек во все стороны. Если допустить, что в одну сторону от инородного атома или иона выведены из нормального положения только четыре атома или иона, то согласно теоретическим расчетам смещение отразится на 728 атомах или ионах основного вещества в решетке. Следовательно, одного постороннего атома на 728 атомов основного вещества, т. е. 0,14% примеси достаточно, чтобы при строго равномерном распределении примеси в кристалле сильно исказить решетку и тем самым изменить физические и химические свойства кристалла. Вот почему для получения пигментов с воспроизводимыми адсорбционными свойствами чрезвычайно важно точно выдерживать постоянство химического состава и все тонкости технологического процесса получения пигментов.