В результате интенсивного роста кристаллов новых зародышей образуется мало. В этот период бурного роста кристаллов неразвивающиеся зародыши могут поглощаться растущими кристаллами. Это обстоятельство служит дополнительной причиной скачкообразного ускорения роста кристаллов. Охлаждение материала при 1400-1200° С практически сопровождается прекращением роста кристаллов, поскольку в эвтектическом расплаве для них не остается питательного вещества, да и вязкость жидкости становится повышенной. Небольшой рост кристаллов в этих условиях идет за счет растворения мелких метастабильных кристаллов и отложения вещества на устойчивых кристаллах. Зародыши кристаллов силикатов не образуются. Лишь при застывании эвтектики (1338--1280° С) выделяется небольшое количество мелких (1-5 мк) частичек C3S и C2S. Однако кристаллизация эвтектики - это самостоятельная и важная стадия получения клинкера, так как именно на этой стадии формируются минералы промежуточной фазы - алюминаты и алюмоферриты кальция.

При обжиге обычной портландцементной сырьевой смеси при 1300-1500° С величина кристаллов алита в клинкере с повышением температуры возрастала, что находится в соответствии с уравнением Аррениуса. Ускорение роста кристаллов при 1450- 1500° С согласуется с их интенсивным развитием в этом же интервале температур и при охлаждении расплава.

Следовательно, температуры 1450-1600°С наиболее благоприятны для получения клинкера с крупными кристаллами алита гексагональной формы. Выше 1600° С в клинкере сильно повышается количество расплава, и многие из образовавшихся кристаллов C3S начинают растворяться, переоткладываясь на длинновытянутых игольчатых и призматических кристаллах. Кристаллы C2S вначале также растут, но при температурах 1450- 1500° С интенсивно растворяются, и величина их уменьшается. Изотермический обжиг вначале, когда имеются сильно метастабильные фазы (источник расплава), естественно способствует интенсивному росту кристаллов.