Действительно, эвтектический расплав практически насыщен СаО и ее растворение в пограничном слое должно идти за счет. В этих условиях велика скорость обратно-, го присоединения перешедших в расплав ионов Са2+ к кристаллам СаО, и процесс растворения замедляется. Другие окислы (А1203, Si02, Fe203) не насыщают эвтектического расплава и могут легко в нем растворяться. Это дает основание считать, что скорость их растворения зависит от двух процессов: растворения и диффузии. Следовательно, в целом стадия растворения при слагается из отдельных элементарных актов растворения кристаллов конкретных минералов, одни из которых лимитируются скоростью химического взаимодействия расплава с кристаллами, а другие - скоростью отвода растворенного вещества из пограничного слоя.

Скорость растворения зависит также от соотношения объема жидкости и твердого тела. При большом количестве расплава возможно конвективное удаление пересыщенных пограничных слоев, что способствует ускорению процесса растворения. В этом случае подчиненное значение имеет и скорость роста кристаллов новой фазы. В тонком капилляре конвективные потоки полностью подавлены, и процесс переноса осуществляется путем диффузии в молекулярной форме. Гомогенизация расплава в узком зазоре идет быстро, однако условия для роста кристаллов неблагоприятны. Много в зерне клинкера и зон, занимающих промежуточное положени между двумя крайними. Положения эти не статические - фронт реакции непрерывно перемещается в сторону растворяющего кристалла.

По данным Н. А. Торопова, П. Ф. Румянцева и В. Н. Филипповича, изучавших растворение СаО, C2S, C3S и Si02 (кварц) в насыщенном клинкерном расплаве с помощью высокотемпературного микроскопа, скорость процесса зависит от кристаллической структуры зерен, степени дефектности отдельных кристаллов и от свойств самого расплава.

Фактическое же значение величины А, определенное авторами по экспоненциальному уравнению, равнялось 1017-1020, т.е. превышало теоретическую величину в 109-1012 раз.