Определение величины образующихся кристаллов C2S и C3S рентгеновским методом осуществили Б. В. Волконский и В. И. Садков. Они обжигали цилиндрические образцы диаметром 3 мм при 1200-1700° С с выдержкой при соответствующей температуре от 0,5 до 15 мин. Кристаллы C2S и C3S были неодинаковы по величине (соответственно 8-60 и до 45 мк после 5-минутного обжига при 1500°С). Скорость их роста в первые 5 минут обжига при указанных температурах составляла 0,50-0,75 мк/мин, а в последующий период - 0,06-0,20 мк/мин. Скорость роста кристаллов замедлялась по мере увеличения длительности обжига. Влияние температуры на скорость роста кристаллов C2S оказалось незначительным.

Полиморфизм C3S не отражается на форме его кристаллов. Чистый C3S оказался стабильным при низких температурах (ниже 1250°С): распад его на C2S и СаО происходил лишь в присутствии примесей (Яннагиус М.). Оказался стабильным C3S и в присутствии расплава в системе СаО-Si02; инконгруентное плавление его происходило при 2070° С (Уэлч П., Гатт В.).

Кинетика образования C3S из смеси 3CaC03 + Si02 при 1300° С удовлетворительно описывалась уравнением Гинстлинга. Обжиг длился 40-140 мин. Постоянная К в уравнении изменялась в пределах (4,5- 8,2) 104 для смесей с размером зерен 50-75 мк после обжига их в течение первых 40-80 мин. С увеличением времени обжига сверх 60-80 мин значения К колебались в очень узких пределах- (4,3-4,9) 104, что свидетельствует об определяющем влиянии на этой стадии обжига скорости диффузии Са2+ на скорость образования C3S. Тот факт, что при температурах выше 1400° С протекает только реакция C2S + CaO = C3S, установлен и в других работах (Сычев М. М.). Лишь при обжиге смесей 3CaO-Si02 в интервале температур 1400- 1500° С константа скорости реакции, вычислявшаяся по уравнению Гинстлинга, изменялась в зависимости от температуры по линейному закону. Энергия активации реакции при этих температурах составила 48,4 ккал/моль.