Статьи
-
23
нояКак безопасно приобрести недвижимость
Покупка квартиры - это значимое событие для любого человека, и не важно, собираетесь ли вы приобрести недвижимость в
подробнее -
09
июнРаботы, требующие допуска СРО
Допуск СРО Екатеринбург для осуществления законной деятельности должны в обязательном порядке получить все
подробнее -
27
мая**Основные приоритеты выбора керамоблоков
По составу они напоминают стандартный кирпич, но при этом обладают рядом отличий и приоритетных преимуществ.
подробнее
-
Кристаллизация минералов (C2S и C3S)
02.12.2013
По данным Бутта Ю. М. и Тимашева В. В., СаО в смеси состава C2S довольно равномерно и интенсивно связывалась при температурах 1000-1400° С, но при 1400-1450° С наблюдалось значительное ускорение реакции образования C2S. Изменение температуры на 50° вызывало резкое изменение содержания свободной СаО: с 15,29% при 1400° С до 2,61% при 1450° С. В дальнейшем количество СаО в спеках оставалось незначительным и постоянным. Связывание извести в смеси состава C3S протекает значительно медленнее, чем в смеси состава C2S, и более сложным путем. Наблюдалось ступенчатое (стадийное) связывание СаО: в интервале температур 1000-1250° С оно шло медленно, при температурах 1250-1300° С процесс несколько ускорялся, затем при 1300-1400°С известь вновь усваивалась более спокойно, а затем в интервале 1400-1500° С процесс вновь резко ускорялся; выше 1500° С известь усваивалась медленно.
Кристаллизация минералов (C2S и C3S) при всех исследованных температурах неотчетливая; кристаллы имеют форму неправильных многогранников, что свидетельствует об отсутствии какой-либо превалирующей направленности в протекании рекристаллизационных процессов. Величина кристаллов в образцах, обожженных при низких температурах вплоть до 1400° С, невелика, с ростом же температуры выше 1500° С размер их возрастает до 80-170 мк.
Таким образом, в смесях из СаС03 и аморфной кремнекислоты, рассчитанных на образование C2S и C3S, интервал температур 1400-1500° С, характеризующийся наиболее высоким количеством извести, связываемой в его пределах Si02, является оптимальным и с точки зрения завершения рекристаллизационных процессов.
Интенсификацию образования C3S в интервале температур 1300-1400° С наблюдали и другие исследователи, причем Берецки отмечал и ступенчатость процесса синтеза C3S.
Синтез C3S протекает путем диффузии Са2+ и О2- в решетку C2S, и поэтому скорость этого процесса зависит от строения решетки двух-кальциевого силиката.