Так, например, известно, что с увеличением межатомных расстояний в кристалле (расширение) твердость последнего понижается. Однако, если при этом уменьшается одновременно и доля ковалентной связи, что может произойти при замещении одних катионов другими (образование твердых растворов), то твердость уменьшается еще более значительно. Наоборот, если при этом доля ковалентной связи возрастает, что наблюдается при замещении анионов в решетке, то зависимость будет обратной. Твердость возрастает с увеличением валентности составляющих кристаллов ионов и их координационных чисел. Следовательно, кристалл характеризуется максимально возможной для него твердостью и прочностью, если для него характерна 100%-ная ковалентная связь и если основной составляющий его катион имеет высокую валентность и небольшой размер.

Значительное различие в свойствах кристаллов одного и того же минерала связано с отклонением строения реальных кристаллов от идеального. Идеально построенных кристаллов практически нет. Это обусловлено, в частности, ангармоничностью тепловых колебаний различных структурных элементов решетки. Однако решающую роль в искажении структуры играют физические, химические и электрические дефекты. Возможна следующая классификация дефектов.

Электрические дефекты связаны с неравномерным распределением электронов в кристаллической решетке.

Точечные дефекты наиболее распространены в кристаллах. Важнейшее место среди них занимает вакансия, т. е. узел решетки, не занятый ионом. Вакансия может быть катионная (положительная) и анионная (отрицательная). В ионных кристаллах правило электронейтральности требует равенства катионных и анионных вакансий (пара вакансий разного знака носит название дефекта Шоттки). Ион, не занявший своего места в узле решетки, не всегда удаляется из нее, а часто становится межузельным (внедренным).