Грубые дефекты кристаллической решетки: дислокации, мозаичность структуры, непараллельность друг другу отдельных слоев, штриховка граней кристаллов, включение маточного раствора, наличие микро- и макротрещин оказывают большое влияние на свойства кристаллов. Роль дислокаций при протекании химических реакций с участием твердых тел рассмотрена в ряде работ. У реальных кристаллов грани состоят из отдельных участков- блоков с размерами 0,01 -10 мк, различных по величине и форме и наклоненных друг по отношению к другу под разными углами, причем внутри отдельно взятых блоков полностью соблюдается дальний порядок. В отличие от идеальных кристаллов структурные блоки реальных кристаллов сочленяются не общими гранями, а лишь общими ребрами или только вершинами. Конгломератное строение граней реальных кристаллов резко снижает их прочность, а также приводит к неравномерному отражению световых лучей.

Свойства реальных кристаллов в большой степени определяются наличием дефектов и, в частности, микро-и макротрещин. Трещины появляются в результате напряжений, возникающих при быстром росте кристаллов, и под действием поглощаемых кристаллами примесей. Первичные невидимые микротрещинки под влиянием напряжений перерастают в видимые макротрещины.

Теоретический анализ показал, что на поверхности кристаллов обязательно должны существовать трещины, разделяющие кристаллические блоки размером порядка ЮОА, которые образуют вторую суперрешетку кристаллов. А. Ф. Иоффе классическими опытами наглядно показал влияние мельчайших поверхностных трещин на прочность кристаллических твердых тел.