При дальнейшем увеличении содержания P2Os в клинкере показатели преломления C3S повышаются, и при 3% Р205 они превосходят соответствующие показатели чистого трехкальциевого силиката. Величина микротвердости кристаллов C3S и C2S в присутствии 0,5% Р2О5 понижается примерно на 15-25%, но с ростом его количества до 3% постепенно вновь увеличивается, хотя и не достигает значений этого показателя у чистых минералов. Замещение SiO4" менее электроотрицательным РО4 понижает степень поляризации ионов кислорода в решетках C2S и C3S, что приводит к снижению показателей их светопреломления. Это наблюдается при небольшом содержании Р2С>5. С увеличением количества РО до 3% в решетках минералов возрастает доля жестких электронных оболочек вокруг ионов кислорода и это прекращает дальнейшее понижение светопреломления у кристаллов C2S, а у кристаллов C3S показатели светопреломления в этом случае даже существенно повышаются. Кристаллизация CeAxFy в присутствии Р2С>5 обычная. Из неравновесных фаз присутствуют СаО и a-Si02. Величина кристаллов C2S и C3S в присутствии 0,5-3% Р2Об практически не меняется, однако в условиях опытов других исследователей окись фосфора способствовала значительному укрупнению кристаллов (МусяликМ.).

Окись магния. Катион Mg2+ понижает вязкость расплава. Причем это понижение монотонное, вплоть до 5 мол. % MgO (Торопов Н. А., Энтин 3. Б.). Обладая большей электроотрицательностью, чем Са2+, ион Mg2+ сильнее деполимеризует комплексные анионы любого состава, разрушая сложные и ослабляя в простых связь между центральным катионом и ионами кислорода. Энергия активации вязкого течения расплава в присутствии MgO понижается до 20 ккал/моль. Вместе с тем электропроводность расплавов, содержащих Mg2+, несколько возрастает лишь при низких температурах, а при высоких (1400-1450° С) уменьшается. Это обстоятельство косвенно свидетельствует о замедлении перемещения ионов в расплаве в присутствии Mg2+.