Механизм роста кристалла заключается в электростатическом притяжении иона, близко подошедшего к тем местам на поверхности грани, где силы притяжения оказались максимальными. По этой причине каждый ион «находит» свое место на грани. Так образуется очередной молекулярный слой. Пока не образуется полностью один слой, другой слой на этой грани не начинает расти (теория двухмерного зародыша). Скорость роста грани кристалла зависит от частоты присоединения первых новых атомов к завершенной плоскости, но не от скорости заполнения атомного ряда в горизонтальном направлении, что происходит практически очень быстро. Если же грань растущего кристалла не является строго горизонтальной и имеет в каком-то месте выступ, то рост ее вверх начинает идти по типу «вверх по спиральной лестнице». При таком росте кристалла на его гранях не образуются двухмерные зародыши: грани кристалла растут непрерывно с образованием винтовых дислокаций.

Расплавы, отвечающие по составу портландцементам, достигшие истинно-жидкого состояния при 1900° С, в опытах Н. С. Паниной охлаждались со скоростью 100° в час до 600° С, после чего осуществлялась закалка образцов. Во всех случаях максимальная скорость роста кристаллов как наблюдалась в интервале температур 1400- 1600° С. Количество кристаллов в расплаве при этих температурах составляет 50-70%, а вязкость расплава 1- 40. Следовательно, температуры максимальной скорости образования центров кристаллизации и максимальной скорости роста образовавшихся зародышей не совпадают. Основная масса зародышей образуется при более высоких температурах, а интенсивный рост происходит при более низкой температуре. Непосредственно ниже линии ликвидуса имеется зона метастабильного состояния, в пределах которой возникают первичные зародыши, но скорость их образования и количество определить не удается. При понижении температуры количество центров кристаллизации в подвижной клинкерной жидкости возрастает при одновременном росте ранее выделившихся зародышей. При 1600- 1400° С степень расплава оказывается большой, и процесс роста кристаллов резко ускоряется.