Зародыши кристаллов образуются все время, пока есть расплав. Однако скорость их образования в разных температурных интервалах неодинакова. Существует оптимальная температура зарождения центров кристаллизации, ниже которой скорость образования зародышей кристаллов оказывается пониженной, даже если расплав при этом сильно пересыщен. Причиной этого считают возрастание вязкости расплава при охлаждении. Движущей силой процесса зародышеобразования является уменьшение поверхностной энергии системы.

Устойчивые зародыши кристаллов постепенно растут. Рост кристаллов долгое время считался чисто диффузионным процессом, по природе родственным растворению. Скорость этих процессов выражалась одним и тем же диффузионным уравнением Нернсга.

Схему диффузионного процесса роста кристалла представляли так. Ионы, необходимые для роста кристалла, диффундируют из основного расплава в пограничный слой («дворик кристаллизации»), окружающий растущий кристалл, и из него выпадают на грани зародыша. Контролирующим в этой схеме считался процесс диффузии ионов через пограничный слой, поскольку из-за повышенной концентрации вещества частицы в этом слое перемещаются медленнее, чем в основной массе расплава. Однако, как и при растворении, рост кристаллов оказался не чисто диффузионным процессом. Действительно, если бы он был только таковым, то перемешивание расплава, приводящее к разрушению пограничного слоя, приводило бы к огромным скоростям роста кристаллов, а этого не наблюдается. Кроме того, было установлено, что концентрация вещества в пограничном слое соответствует не насыщенному, а пересыщенному состоянию расплава, что можно объяснить только торможением отложения ионов на гранях растущего кристалла. Следовательно, рост кристаллов, так же как и их растворение, складывается из двух процессов: 1) диффузии ионов к граням и 2) реакции присоединения ионов к грани и их ориентации в соответствии со строением данной кристаллической решетки. Общее уравнение для вычисления скорости кристаллизации: dm/dt = K}iKvA (С-