Следовательно, в области низких температур коэффициент диффузии зависит от строения кристаллических тел (структурно-чувствительная область) и изменяется вместе с изменением состава и структуры соединений. Лишь в области высоких температур D мало зависит от структуры исходных родственных фаз, что позволило считать эту температурную область зоной собственно диффузии.

Первоначально возникающее в результате встречной диффузии катионов тело -не упорядоченная по строению твердая фаза- является метастабильным и при определенных превращения в одном из двух направлений: 1) становится устойчивым гомогенным твердым раствором равновесного состава; 2) распадается с образованием равновесного химического соединения. Каждый из этих процессов является сложным, состоящим из отдельных «элементарных» актов: разрыв старых химических связей, образование новых связей, возникновение «переходных состояний» или «активированных комплексов» с максимумом энергии и т. п. Кристаллизация неупорядоченного, и к тому же обычно пересыщенного твердого раствора, подчиняется определенным зависимостям. Прежде всего, конечно, должны возникнуть зародыши кристаллов новой фазы. Когда размер этих зародышей превысит критическую величину, они приобретают способность интенсивно расти, и твердый раствор довольно быстро переходит в новый кристаллический продукт.

Во время роста кристалл окружен оболочкой твердого раствора, отличающегося от основной массы твердого раствора пониженным содержанием выделяющегося вещества (так называемый «дворик кристаллизации»). Скорость роста кристалла зависит от толщины этой оболочки. Здесь возможны два случая: 1) толщина обедненной оболочки увеличивается вместе с ростом размеров кристалла; 2) толщина обедненной оболочки остается все время постоянной.

Первый случай обычно показателен для распада слабо пересыщенных твердых растворов. Чтобы вычислить скорость роста кристалла в этих условиях, можно пользоваться следующим выражением.

При росте кристалла катионы диффундируют уже не беспорядочно, а по определенным его кристаллографическим направлениям. Каждая грань кристалла в этих условиях имеет свое поверхностное натяжение и соответствующую ему скорость роста.