— Наш телефон:

+7 (495) 640-22-34

Статьи

  • 23
    ноя
    Как безопасно приобрести недвижимость

    Покупка квартиры - это значимое событие для любого человека, и не важно, собираетесь ли вы приобрести недвижимость в

    подробнее

  • 09
    июн
    Работы, требующие допуска СРО

    Допуск СРО Екатеринбург для осуществления законной деятельности должны в обязательном порядке получить все

    подробнее

  • 27
    мая
    **Основные приоритеты выбора керамоблоков

    По составу они напоминают стандартный кирпич, но при этом обладают рядом отличий и приоритетных преимуществ.

    подробнее

 

Ваш дом это

Уютная квартира
Частный дом
Съемное жилье
Комната в родительском доме

 
 




  • Многократное двойникование

    21.04.2013

    Надежных методов определения энергии решетки кристаллов с примесями нет. Так, энергия решетки одного из реальных кристаллов Si02 составляла 3097, а А1203-3618 ккал/моль.

    Разрыв химической связи, по Смекалу, происходит тогда, когда расстояние между частицами становится равным двойному межионному (межмолекулярному и межатомному), ориентировочно равному 10-7 см. Силу сцепления между частицами он оценивает равной примерно 104-155 кГ/см2, но считает ее непостоянной. Энергия, затрачиваемая на измельчение материала, расходуется не только на разрыв химических связей и создание новых поверхностей. Часть ее превращается в бесполезное тепло, а часть расходуется на изменение структуры твердого тела - его аморфизацию и образование в кристаллах дефектов.

    При сжатии кристалла между шарами в мельнице его тело сжимается, подвергается воздействиям сдвигающих усилий и в результате деформируется. Возникающие при этом напряжения распределяются в кристалле в соответствии с его формой и структурой. Пластическая деформация кристаллов сопровождается дальнейшим развитием в нем дислокаций и точечных дефектов. Когда напряжение в какой-либо точке кристалла превысит предел прочности, он разрушается. Наименее прочными, естественно, являются участки кристалла с дефектами: дислокациями, вакансиями, межузельными ионами, газожидкими включениями и макровключениями твердых тел. В этих точках наименьшей энергии (и прочности) прежде всего образуется первая трещина в теле кристалла, которая, быстро увеличиваясь, вызывает его разрушение. Трещина увеличивается, потому что прилагаемое в этот момент усилие концентрируется на ее концах, т. е. распределяется неравномерно. Неравномерная же концентрация напряжений в кристалле вызывает появление в нем дополнительных трещин и разрыва связей. В результате материал распадается на множество осколков. Новые трещины также появляются преимущественно в дефектных местах кристалла. Только в том случае, если в частичке измельчаемого кристалла (или материала) уже нет никакой неоднородности, она разрушается по определенным кристаллографическим плоскостям с преодолением максимальной теоретической прочности. Это бывает чаще всего у небольших частиц.