— Наш телефон:

+7 (495) 640-22-34

Статьи

  • 23
    ноя
    Как безопасно приобрести недвижимость

    Покупка квартиры - это значимое событие для любого человека, и не важно, собираетесь ли вы приобрести недвижимость в

    подробнее

  • 09
    июн
    Работы, требующие допуска СРО

    Допуск СРО Екатеринбург для осуществления законной деятельности должны в обязательном порядке получить все

    подробнее

  • 27
    мая
    **Основные приоритеты выбора керамоблоков

    По составу они напоминают стандартный кирпич, но при этом обладают рядом отличий и приоритетных преимуществ.

    подробнее

 

Идеальный дом это

Роскошный особняк
Элитная квартира в центре
Хижина на берегу океана
Любое место, где ждут и любят

 
 




  • Образование дефектов кристаллов при измельчении

    29.09.2013

    Следовательно, кристалл, испытавший даже сравнительно небольшое механическое воздействие (до предела упругости), определенное время будет дефектным. При действии напряжений, превышающих предел упругости, в кристалле появляются необратимые остаточные изменения, а при еще больших нагрузках кристалл испытывает пластические деформации. В основе пластической деформации, т. е. скольжения слоев кристалла друг относительно друга или скольжения кристаллов по межкристаллитным прослойкам, лежит перегруппировка различных дефектов решеток под воздействием приложенной нагрузки: движение дислокаций, перемещение вакансий и т. п. При пластической деформации кристалла возможны: а) сдвиг одних частей кристалла относительно других; б) симметричная периориентация отдельных областей кристалла (или всего кристалла вообще) с образованием двойника; в) диффузия ионов; г) периориентация отдельных областей кристалла с поворотом решетки на различные углы (полосы деформации, субструктуры и т. п.).

    В процессе пластической деформации помимо отмеченных дефектов решетки возникают также дислокации и новые точечные дефекты. Плотность дислокаций в ионных кристаллах при умеренных деформациях увеличивается с 106-108 до 1010- 1012 смг2, а в гомеополярных с 104-106 до 106-108 см-2. Повышение плотности дислокаций при приложенном деформирующем напряжении связано с размножением дислокаций. Концентрация точечных дефектов в процессе деформации возрастает примешю с 10"-1017 до 1019-1021" см-3. Увеличение числа дефектов в кристалле в общем случае понижает его прочность. Кристалл разрушается в результате образования больших скоплений дислокаций или при возникновении вакансий и межузельных атомов в количествах, достаточных для нарушения сил сцепления между ионами в решетке материала.

    В кристаллах кальцита двойникование наблюдается при нагрузках порядка 10-30 кГ/см2. При этом чаще всего образуется не одиночный, а полисинтетический двойник. Двойники предпочтительнее образуются при постепенном нагружении кристалла, чем при концентрированной нагрузке. Двойник можно уничтожить, приложив нагрузку другого знака.