В кристаллах СаСОз, алюмосиликатов и других рассмотренных минералов твердые растворы образуются очень часто. Большинство из них уже по этой причине представляет собой дефектные структуры.

Точечные дефекты в целом беспорядочно распределены по кристаллу, они локализованы обычно около нескольких узлов решетки, создавая вблизи них участки неупорядоченности.

Линейные дефекты - дислокации - представляют собой геометрические нарушения строения кристаллической решетки, возникающие в процессе роста кристалла или его последующей деформации. Под дислокацией понимают полосу, разделяющую две совершенные области кристалла, ионные сетки в которых, однако, сдвинуты относительно друг друга. Ширина этой переходной полосы не превышает нескольких атомных расстояний, поэтому без существенной ошибки ее считают линией раздела. Известны два основных типа дислокаций: «краевая» и «винтовая». Все другие виды дислокаций представляют собой сочетание этих двух основных. При краевой дислокации атомы в одной области кристалла раздвинуты, а в смежной - сближены. Создается положение, подобное тому, как если бы в раздвинутую часть решетки кристалла была вставлена лишняя плоскость атомов, которая не распространяется на другую, часть кристалла со сближенными атомами. Линия дислокации проходит как бы от края этой условной и незавершенной атомной плоскости и продолжает ее (отсюда термин «краевая»). При винтовой дислокации на каком-то небольшом участке кристалла происходит сдвиг двух блоков относительно друг друга на один межатомный промежуток (в результате чего на поверхности этого участка кристалла образуется ступенька), вся же остальная часть кристалла не деформирована и не имеет ступеньки. В итоге в кристалле с винтовой дислокацией ионы не расположены больше на одной плоскости, как это бывает в идеальном кристалле, а непрерывно смещаются. То есть в кристалле вместо суммы плоскостей имеется лишь одна ионная плоскость в форме винтовой лестницы, и именно эта «лестница» непрерывно надстраивается по спирали.